SK하이닉스, 美서 HBM 첫 생산…인디애나팹 2029년 가동

[아이뉴스24 권서아 기자] SK하이닉스가 미국 인디애나주에 현지 첫 고대역폭 메모리(HBM) 생산 거점을 짓는다. 한국에서 생산한 D램 웨이퍼(반도체 원판)를 미국에서 첨단 패키징(반도체 후공정)해 오는 2029년부터 미국산 HBM을 공급한다.

SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 생산기지 기공식을 열었다고 28일 밝혔다.

40억달러 투자…2029년 '메이드 인 USA' HBM 양산

인디애나 팹(공장)에는 총 40억달러(약 5조5000억원) 이상이 투입된다. SK하이닉스는 2028년 10월 클린룸(청정시설)을 완공한 뒤 2029년 하반기부터 HBM 양산을 시작할 계획이다. 생산 능력은 D램 웨이퍼 기준 연간 수십만장 규모다.

미국에서 HBM이 생산되는 것은 이번이 처음이다. 한국에서 생산한 최첨단 D램 웨이퍼를 인디애나로 보내고, 현지에서 적층과 패키징·테스트 공정을 거쳐 완성한 HBM을 미국 고객사에 공급하는 구조다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 기공식에서 인디애나 팹에서 다음 세대인 HBM인 'HBM4E(7세대)'를 생산할 계획이라고 밝혔다. SK하이닉스가 현재 양산 중인 최신 제품은 HBM4(6세대)다.

SK하이닉스는 인디애나 생산기지를 통해 주요 AI 반도체 고객과 가까운 곳에서 HBM을 공급할 수 있게 된다. 미국 정부도 반도체법에 따라 최대 4억5000만달러(약 6200억원)의 보조금과 5억달러(약 6900억원)의 대출을 지원한다.

곽 사장은 "인디애나 프로젝트는 미국 최초 HBM 생산 거점을 구축하는 것"이라며 "'메이드 인 USA' HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미국 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것"이라고 말했다.

퍼듀대와 차세대 패키징 개발…7000개 일자리 창출

생산시설과 함께 어드밴스드 패키징 연구개발(R&D) 테스트베드도 구축한다. 고객사와 대학, 협력사가 차세대 패키징 기술을 공동 개발하고 시제품 제작과 성능 검증까지 진행할 수 있도록 한다.

SK하이닉스는 이날 퍼듀대학교와 HBM을 비롯한 차세대 시스템 통합·어드밴스드 패키징 기술 공동 연구를 위한 업무협약(MOU)도 체결했다. 향후 미국 중서부 대학·연구기관과 협력을 확대해 현지 반도체 인력 확보에도 나설 계획이다.

협력사들의 미국 진출도 이어질 전망이다. 현재 100여개 소부장(소재·부품·장비) 협력사가 웨스트라피엣 진출을 논의하고 있다. SK하이닉스는 팹이 본격 가동되면 약 1000명이 직접 근무하고, 공장 건설과 운영·협력사까지 포함해 약 7000개의 직·간접 일자리가 만들어질 것으로 보고 있다.

곽 사장은 "미국은 최고의 고객과 연구역량, 생태계가 함께하는 AI 혁신의 중심지"라며 "미국에 대한 투자와 협력을 확대하고 함께 성장하며 미국 AI의 미래를 만들어가는 가장 신뢰받는 파트너가 되겠다"고 말했다.